UVISEL PLUS橢圓偏振光譜儀研究級HORIBA一手

光譜范圍從FUV到NIR：190-2100nm

UVISEL Plus橢圓偏振光譜儀為先進薄膜、表面和界面表征提供了模塊化和性能的優(yōu)化組合。

UVISEL Plus作為一款高準確性、高靈敏度、高穩(wěn)定性的經(jīng)典橢偏機型，它采用了PEM 相位調(diào)制技術(shù)，與機械旋轉(zhuǎn)部件技術(shù)相比， 能提供更好的穩(wěn)定性和信噪比。光譜范圍從190nm到2100nm。

UVISEL Plus集成了全新的FastAcqTM快速采集技術(shù)，可在3分鐘以內(nèi)實現(xiàn)高分辨的樣品測試（190-2100 nm），校準僅需幾分鐘。基于全新的電子設(shè)備，數(shù)據(jù)處理和高速單色儀，F(xiàn)astAcq技術(shù)能夠為用戶提供高分辨及快速的數(shù)據(jù)采集。FastAcq專門為薄膜表征設(shè)計，雙調(diào)制技術(shù)可以確保您獲得優(yōu)異的測試結(jié)果。

相位調(diào)制技術(shù)的獨有特點為高頻調(diào)制 50 kHz，信號采集過程無移動部件：

• 測試全范圍的橢偏角，Ψ (0-90)，Δ (0-360)
• 從FUV到NIR具有優(yōu)良的信噪比
• 數(shù)據(jù)采集速度快，高達50毫秒/點，是動力學研究和在線測量的理想選擇

相比于采用 旋轉(zhuǎn)元件調(diào)制的傳統(tǒng)橢圓偏振光譜儀，UVISEL Plus的相位調(diào)制模式在表征薄膜方面具有更高的靈敏度和精度。它不僅可以探測到其他橢偏儀無法觀測到的極薄膜或界面，還可以表征50μm的厚膜。

在測試有背反射的透明樣品時，測試簡單、準確，無需刮花背面。

UVISEL Plus還設(shè)計有多種附件及可選功能，便于客戶根據(jù)應用需求及預算選擇合適的配置。比如，微光斑用于圖案樣品、自動變角器、自動樣品臺等。

UVISEL Plus采用模塊化設(shè)計，可靈活擴展。即可用于離線臺式測量，也可以耦合于鍍膜設(shè)備做在線監(jiān)控。

UVISEL Plus可根據(jù)習慣選擇操作界面，一個是 DeltaPsi2  具有建模和擬合處理功能；另一個是 Auto-Soft 用戶導向的全自動樣品測試界面 ，工作流程直觀，易于非專業(yè)人士操作。

UVISEL Plus搭載FastAcq技術(shù)是材料研究和加工、平板顯示、微電子和光伏領(lǐng)域中優(yōu)選通用光譜型橢偏儀。

UVISEL Plus是材料科學研究的理想工具。

產(chǎn)品優(yōu)勢

• 高精度和高靈敏度
• 模塊化設(shè)計
• 寬光譜范圍： 190-2100 nm
• 集數(shù)據(jù)測量、建模和自動化操作為一體的軟件包

獲得的信息

• 膜層厚度，從1?到50 μm
• 表面和界面粗糙度
• 光學常數(shù) (n,k) ，適用于各向同/異性和漸變層
• 光學特性如：吸收系數(shù)α, 光學帶隙Eg
• 材料性能：合金成分、孔隙率、結(jié)晶度及形貌等
• 穆勒矩陣
• 退偏

UVISEL 規(guī)格

• 光譜范圍：標配190-885nm，可擴展至近紅外2100nm
• 檢測系統(tǒng)：高分辨率光譜儀配合高靈敏探測器

 手動配置

• 光斑尺寸：0.05 – 0.1 – 1 mm（針孔）
• 樣品臺：直徑150mm，手動調(diào)節(jié)高度（20mm）和傾角
• 卡位量角器：手動調(diào)節(jié)角度，從55°到90°，步徑5°

 自動配置

• 光斑尺寸：0.05 - 0.1 - 1 mm或0.08 - 0.12 - 0.25 - 1.2 mm（針孔）
• 自動樣品平臺：200 x 200mm或300 x 300mm，手動調(diào)節(jié)高度（4mm）和傾角；XYZ樣品臺，theta平臺
• 自動量角器：自動調(diào)節(jié)角度，從45°到90°，步徑0.01°

 集成型量角器

• 手動調(diào)節(jié)入射角度，從35°到90°，步徑5°
• 樣品臺：直徑150mm，手動調(diào)節(jié)高度（20mm）
• 自動準直系統(tǒng)（可選）
• 尺寸: 25cm*21cm*35cm

 在線配置

• 機械適配器：CF35或KF40法蘭
• 易于在在線和離線配置間更改

• 更多信息

 選配

• 附件：冷熱臺、液體樣品池、電化學反應池、反射模塊（測試0°入射的反射率）等
• 可視化：CCD攝像機

性能

• 準確度：Ψ= 45°±0.01°和Δ=0°±0.01°，空氣對射1.5 - 5.3 eV
• 重復性：NIST 1000? SiO2/Si (190-2100 nm)，d±0.1%，n(632.8nm)±0.0001